应用，使用MOSFET作为调整管，MOSFET就工作于稳定放大区。开关电源等现代的高频电力电子系统，MOSFET工作于开关状态，相当于在截止
2016-12-21 11:39
了漂移区的掺杂浓度从而降低耐压吗？2、为什么电场由三角形变为梯形可以只需较薄的漂移区就可以提升耐压？3、为什么单极型的MOSFET没有FS层，而双极型的FRD和IGBT都有用到场
2020-02-20 14:26
电压。导通电阻表示功率MOSFET完全开后的电阻，和上述的线性区工作状态并不相同。功率MOSFET的内部二极管导通的反向工作状态，因为其S、D极的电压为二极管的压降，因此并没有线性
2017-04-06 14:57
通或截止，米勒电容产生的米勒平台的线性区，也就是产生开关损耗的区间，持续的时间非常短，通常是几个或几十个ns，因此使用测量到的功率MOSFET电压和电流的波形，在SOA曲线的线性
2016-10-31 13:39
，μn为反型层中电子的迁移率，COX为氧化物介电常数与氧化物厚度比值，W和L分别为沟道宽度和长度。前面多次讲到功率MOSFET输出特征，三极管有三个工作区：截止区、放大
2016-11-29 14:36
什么状态？漏极电流会超过饱和电流？还是处于一种什么样的工作状态？比如说栅源电压小于0，且大于开启电压时，工作在可变电阻区，栅源电压等于0 ，工作在饱和放大区，栅源电压小于0，且小于开启电压时，工作在截止区。
2019-04-08 03:57
漏源电压保持截止时高电平不变，从图1可以看出，此部分有VDS与ID有重叠，MOSFET功耗增大;t3-t4区间：栅极电压从平台上升至最后的驱动电压(模块电源一般设定为12V)，上升的栅压使导通电
2019-09-25 07:00
，曲线的斜率定义为跨导Gfs MOSFET的漏极伏安特性（输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）；饱和
2019-06-14 00:37
不会有伤害。 问题40：功率MOSFET管线性区工作，空穴电流由外延层epi中耗尽层产生，那么，空穴电流是不是和截止状态时产生漏电流一样？如果是一样，截止状态下寄生
2025-11-19 06:35
运动。MOSFET的控制栅压作用于横跨绝缘层的沟道区，而不像结型场效应管那样横跨PN结。栅极用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)来绝缘。MOSFET可以是P沟道也可以是N沟道，其工作可以是耗尽型或者增强型
2012-12-10 21:37
