在追求不断提高能效的过程中，MOSFET的芯片和封装也在不断改进。尽管四十多年来我们对这种器件有了很多了解，但目前将它们有效地应用于电源产品依然面临挑战。根据具体应用建立FET性能模型并采用
2019-05-13 14:11
能会对MOSFET的频率稳定性、相位噪声和总体性能产生负面影响。在振荡器中，闪烁噪声本身表现为靠近载波的边带，其他形式的噪声从载波延伸出来，频谱更平坦。随着与载波的偏移量的增加，闪烁噪声会逐渐衰减，直到
2023-09-01 16:59
封装在开关速度、效率和驱动能力等方面的有效性。最后，第四节分析了实验波形和效率测量，以验证最新推出的TO247 4引脚封装的性能。 II.分析升压转换器中采用传统的TO247封装的MOSFET A.开关
2018-10-08 15:19
驱动电流对MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）性能有着显著的影响。MOSFET作为现代电子系统中常用的开关元件，其性能直接决定了系统的效率、稳定性和可靠性。以下
2024-07-24 16:27
【科普小贴士】MOSFET的性能：雪崩能力
2023-12-07 16:46
【科普小贴士】MOSFET的性能：电容的特性
2023-11-23 09:09
在现代电力电子技术中，氮化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）因其优异的性能而受到广泛关注。SiCMOSFET以其高效率、高温耐受性和高频性能等特点，成为新一代电力电子器件的代表
2025-01-06 17:01
【科普小贴士】MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
2023-12-13 14:17
【科普小贴士】MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
2023-12-13 14:18
【科普小贴士】MOSFET的性能：漏极电流和功耗
2023-12-07 17:23
