为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关
2023-05-22 11:11
得益于MOSFET的平面式结构，我们可以在硅晶圆上同时制造出好几个MOSFET。这意味着，只要把单个MOSFET的大小控制好，在相同面积的晶圆上可以多制作数十倍的晶体管，还可以直接把单个的
2023-02-16 11:56
在状态1过程中，电感会通过（高边 “high-side”）MOSFET连接到输入电压。在状态2过程中，电感连接到GND。由于使用了这类的控制器，可以采用两种方式实现电感接地：通过二极管接地或通过（低边“low-sid
2020-11-20 10:26
功率器件(如开关、电阻和MOSFET)的并联连接旨在分担功率，使设备能够承受更大的功率。它们可以并联连接，以增加输出电流的容量。由于不受热不稳定性的影响，并联连接通常比
2024-06-03 14:15 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
在状态1过程中，电感会通过（高边“high-side”）MOSFET连接到输入电压。在状态2过程中，电感连接到GND。由于使用了这类的控制器，可以采用两种方式实现电感接地：通过二极管接地或通过（低边
2023-04-23 10:31
MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的
2009-12-29 10:41
MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
2023-02-09 17:49
MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路复杂；P沟道可以直接驱动，驱动简单。
2024-10-30 15:24
的电场效应来控制输出回路的电流，因此被称为场效应晶体管。MOSFET主要由源极（Source）、栅极（Gate）、漏极（Drain）和主体（Body）四个端子组成，其中主体通常与源极端子连接，形成三端子器件。
2024-02-19 16:38
的。当MOSFET导通时，电流通过在 体区（称为bulk或body）中形成的沟道，从MOSFET的漏极流向源极。大多数情况下，MOSFET的 体区与源极连接，这也是为什
2023-04-06 10:06
