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  • DVRFD631-475,用于DVRFD631高速,允许将驱动器和MOSFET连接到散热器

    DVRFD631-475,开发板是一种通用电路板,旨在简化IXRFD631栅极驱动器的评估,并为电源电路开发提供构建模块。 IXRFD631栅极驱动器出厂时已安装在评估板上,并经过全面测试。电路板设计允许将驱动器和MOSFET连接到散热器,这样做可以将电路板组件用

    2019-08-07 08:48

  • 使用Arduino将5V SPDT继电器连接MOSFET

    ?将MOSFET连接到Arduino的数字线路(每个引脚最大5V)时,原理图会是什么样子?作为我目前使用其中一个继电器的示例:在上图中,我发送的视频信号取决于我想要查看的相机。其他例子只是正常的发送电压开启和关闭(最大12V)。

    2018-08-16 22:26

  • 用于DVRFD630高速的大电流MOSFET功率驱动器的DVRFD630-375

    DVRFD630-375,开发板是一种通用电路板,旨在简化IXRFD630栅极驱动器的评估,并为电源电路开发提供构建模块。 IXRFD630栅极驱动器出厂时已安装在评估板上,并经过全面测试。电路板设计允许将驱动器和MOSFET连接到散热器,这样做可以将电路板组件用

    2019-08-06 09:40

  • 看完这篇,4个步骤快速完成MOSFET选型

    为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中,当一个MOSFET接地,而负载连接到干线电压上时,该MOSFET就构成了低压侧开关

    2023-05-22 11:11

  • N沟道和P沟道MOSFET的区别是什么

    栅极端子连接的基板上,沉积了氧化层。由于该氧化层充当绝缘体(与基板绝缘),因此MOSFET也称为IGFET。在制造MOSFET时,轻掺杂的基板与严重掺杂的区域扩散。根据所使用的基板,它们分为P 型或

    2023-02-02 16:26

  • 半导体工艺:计算机与晶体管技术的相关性

    得益于MOSFET的平面式结构,我们可以在硅晶圆上同时制造出好几个MOSFET。这意味着,只要把单个MOSFET的大小控制好,在相同面积的晶圆上可以多制作数十倍的晶体管,还可以直接把单个的

    2023-02-16 11:56

  • 深入的了解电感的行为

    在状态1过程中,电感会通过(高边 “high-side”)MOSFET连接到输入电压。在状态2过程中,电感连接到GND。由于使用了这类的控制器,可以采用两种方式实现电感接地:通过二极管接地或通过(低边“low-sid

    2020-11-20 10:26

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    2019-08-07 06:43

  • DVRFD631-150,旨在简化IXRFD631栅极驱动器的评估,并为电源电路开发提供构建模块

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    2019-08-07 08:48

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    2019-08-07 07:18