在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中，Vgs（栅极-源极电压）和Vds（漏极-源极电压）之间的关系是理解MOSFET工作特性的关键。 一、基本定义 Vgs（
2024-09-29 09:53
如何选取SiC MOSFET的Vgs门极电压及其影响
2023-12-05 16:46
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性--栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。
2023-02-09 10:19
为什么可以认为Vgs电压是不变的？ Vgs电压，也就是场效应管（FET）的栅源电压，在某些情况下可以被认为是恒定的。这是因为在FET工作的过程中，栅电极和源极之间没有导电材料。这意味着，当FET被
2023-09-20 17:05
能对设备造成损害。因此，准确测量和判断MOSFET的尖峰电压对于电路设计和故障排查具有重要意义。本文将详细介绍如何使用示波器正确测量MOSFET尖峰电压，并给出判断方法
2024-05-30 15:49
在栅极电荷方法中，将固定测试电流（Ig）引入MOS晶体管的栅极，并且测量的栅极源电压（Vgs）与流入栅极的电荷相对应。对漏极端子施加一个固定的电压偏置。
2024-04-10 14:22
MOSFET的RDS是正温度系数；VGS低于5.5V时，温度越高电流越大，功率MOSFET的的RDS是负温度系数。
2023-02-16 14:07
功率 MOSFET 最常用于开关模式应用中，它们用作开关。然而，在 SMPS 中的启动电路、浪涌和高压保护、反极性保护或固态继电器等应用中，功率 MOSFET 在栅极到源极电压 VGS 为零。当
2022-09-11 09:11
的工作状态及工作条件对于理解和设计相关电路至关重要。以下是MOSFET的三种主要工作状态及其工作条件的介绍。 一、MOSFET的三种工作状态 MOSFET根据其栅源电压（VGS
2024-10-06 16:51
