最大的连续漏极电流ID的计算公式： 其中，RDS(ON)_TJ(max)为在最大工作结温TJ下，功率MOSFET的导通电阻；通常，硅片允许的最大工作结温为150℃。热阻RqJC的测量可以参见文章：功率
2016-08-15 14:31
MOSFET的导通电阻以及测量的条件，如AON6590，VDS=40V，分别列出了VGS=10V、VGS=4.5V的RDS(ON)，如下图所示。
2016-09-26 15:28
在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的总栅极电荷。Qgd：栅极
2017-01-13 15:14
的MOSFET从跨导的定义来说，由于ID不再增加，因此被定义为饱和区，但为什么又叫做放大区呢？问题分析：（1）可变电阻区表明MOSFET在一定的VGS电压下沟道已经完全导通，此时
2016-12-21 11:39
在250uA的时，测量阈值电压，这个电流表明源极和漏极间刚刚形成导通的沟道，而不是MOSFET完全导通的状态，这和许多工程师所认识的VGS到了VTH后MOSFET就完全
2016-11-08 17:14
前面的文章讲述过基于功率MOSFET的漏极特性理解其开关过程，也讨论过开关电源的PWM及控制芯片内部的图腾驱动器的特性和栅极电荷的特性，基于上面的这些理论知识，就可以估算功率MOSFET在开关
2017-02-24 15:05
功率MOSFET的感性负载关断过程和开通过程一样，有4个阶段，但是时间常数不一样。驱动回路的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功率MOSFET内部的栅极电阻
2017-03-06 15:19
1中的t1），源极电压（VGS）正接近MOSFET的阈值电压，VTH和漏电流为零。因此，在此期间的功率损耗为零。在t2时段，MOSFET的寄生输入电容（CISS）开始充电，而漏极电流开始流经
2022-11-16 08:00
`AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技术，具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
2020-05-29 08:39
，表明MOSFET沟道导通。当Vgs进一步增加，Rdson下降比较来缓，因为沟道完全导通，MOSFET导通电阻由其它的电阻组成部分决定。当器件缩小到更小的尺寸，RS , RCH也减小，因为更多的单个的单元
2016-10-10 10:58
