据介绍，瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V，可提升应用兼容性，简化应用系统设计。在产品结构上，第二代SiC MOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET
2023-08-23 15:38
MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。例如N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，当VGS电压达到MOSFET的
2022-11-28 15:53
功率MOSFET需要在锂离子电池组内部和输出负载之间串联。同时，专用IC用于控制MOSFET的开启和关闭，以管理电池的充放电，如图1所示。在消费类电子系统中，如手机、笔记本电脑等，带有控制IC、功率
2024-10-08 17:21
碳化硅mosfet有哪些主要参数 碳化硅MOSFET相关的主要参数包括： 1. 阈值电压（Vth）- 这是MOSFET开启的电压。随着Vth的增加，
2023-06-02 14:09
）的不同，可以工作在三种主要状态：截止状态、线性区和饱和区。 1. 截止状态 工作状态描述 ： 当VGS小于MOSFET的开启电压（VGS(TH)）时，MOSF
2024-10-06 16:51
BVDSS表示漏源极之间能承受的电压值，这里标注的是最小值650V。VGS(th)表示MOSFET的开启电压，它是负温度系数，随着温度的增加，器件的开启电压逐渐减小，以100℃为例，此时
2024-01-11 16:25
汽车电子事业部是博世汽车业务的电子产品的能效中心，同时也是ICs系统专用集成电路和MEMS传感器等半导体组件的制造商和供应商。用碳化硅（SiC）生产的MOSFET，开启了产品组合中的新篇章。
2021-03-31 15:16
MOSFET处于导通状态下的阻抗。导通阻抗越大，则开启状态时的损耗越大。因此，要尽量减小MOSFET的导通阻抗。
2023-09-06 10:47
碳化硅（SiC）MOSFET全面取代超结（SJ）MOSFET的趋势分析及2025年对电源行业的影响 一、SiC MOSFET取代SJ MOSFET的必然性 性能优势显著
2025-03-02 11:57
