是否有白皮书明确规定了如何使用 MosFET 开启特性来抑制浪涌电流？ 设计类似于 TLE9853 评估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。 通过模拟感性负载，我们 CAN 控制电流
2024-01-29 07:41
我尝试根据演示 BLDC_SENSORLESS_FOC_EXAMPLE_TLE987X 在 TLE987x 的三相桥上独立控制 MOSFET 的开启和关闭。" "
2024-01-26 07:02
据介绍，瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V，可提升应用兼容性，简化应用系统设计。在产品结构上，第二代SiC MOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET
2023-08-23 15:38
MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。例如N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，当VGS电压达到MOSFET的
2022-11-28 15:53
，几乎没有开关特性的温度依存性。图3: 开关温度特性关于MOSFET的VGS(th)(界限値)关于MOSFET的VGS(th)MOSFET开启时，GS (栅极、源极)
2019-04-10 06:20
功率MOSFET需要在锂离子电池组内部和输出负载之间串联。同时，专用IC用于控制MOSFET的开启和关闭，以管理电池的充放电，如图1所示。在消费类电子系统中，如手机、笔记本电脑等，带有控制IC、功率
2024-10-08 17:21
碳化硅mosfet有哪些主要参数 碳化硅MOSFET相关的主要参数包括： 1. 阈值电压（Vth）- 这是MOSFET开启的电压。随着Vth的增加，
2023-06-02 14:09
）的不同，可以工作在三种主要状态：截止状态、线性区和饱和区。 1. 截止状态 工作状态描述 ： 当VGS小于MOSFET的开启电压（VGS(TH)）时，MOSF
2024-10-06 16:51
的问题：1. 在MOSFET开启的时候，TP2的波形为何先出现下降之后再陡然上升？2. 在MOSFET关闭的时候，TP2的波形为何也有一部小上升？求大神解答，万分感谢！！`
2017-02-24 06:57
3.1 驱动电源SiC MOSFET开启电压比Si IGBT低，但只有驱动电压达到18V～20V时才能完全开通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs对比 Cree的产品手册中单管
2023-02-27 14:41
