的基本结构和工作原理 MOSFET由源极（Source）、漏极（Drain）、栅极（Gate）和衬底（Substrate）四个部分组成。栅极与衬底之间有一层绝缘的氧化物层，称为栅氧化物。当栅极电压（Vg）高于阈值电压（Vth）时，栅氧化物下方的衬底表面形成导电沟道，实现
2024-08-01 09:19
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-12-06 18:22
导通电阻（RDSON）指的是在规定的测试条件下，使MOSFET处于完全导通状态时（工作在线性区），漏极（D）与源极（S）之间的直流电阻，反映了MOSFET在
2025-05-26 15:09
MOSFET的导通电阻
2018-08-14 00:12
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2023-06-06 10:02
在功率半导体器件中，MOSFET以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换，特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域，MOSFET没有竞 争对手，但随着MOS的耐压提高，导通电阻随之以
2022-03-17 09:35
利用仿真技术验证了由于源极LSource生成反电动势VLS，通过MOSFET的电压并不等于全部的驱动电压VDRV。MOSFET导通时3引脚封装的反电动势VLS、栅极-源极VGS波形如下图所示。图中用圆圈突出显示的部分
2018-03-30 16:21
IR推出汽车专用MOSFET系列低导通电阻 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50
关键词：MOSFET , FemtoFET 小信号 MOSFET 晶体管为移动设备节省电源，延长电池使用寿命 德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电
2018-10-13 11:03
