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2012-08-15 14:36
`电容击穿的概念 电容的电介质承受的电场强度是有一定限度的，当被束缚的电荷脱离了原子或分子的束缚而参加导电，就破坏了绝缘性能，这一现象称为电介质的击穿。 电容器被击穿的条件 电容器被
2018-03-28 10:17
电流的损耗。工程师设计降压转换器时经常忽视“击穿”的问题。每当高端及低端 MOSFET 同时全面或局部启动时，便会出现“击穿”的现象，使输入电压可以将电流直接输送到接地。 击
2022-01-03 07:30
讨论如何根据RDS（ON）、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。 MOSFET的选择 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，
2011-08-17 14:18
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 编辑 我这有一个BTA06的双向可控硅电路，负载接的是电机，用了一段时间后发现可控硅很容易击穿，之后电路就一直处于导通状态，分析了很久没发现什么问题，求各路高手帮忙一下，到底哪里设计错了？另外，一直弄不明白R0和R4有什么用。。。
2012-10-22 20:18
MOSFET教程
2020-05-24 09:22
电机驱动设计中MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计相关文章资料，大家可以看看，对大家很有帮助！
2021-03-29 16:18
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的相关章节专门的讨论。 图1：BVDSS测试电路功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层
2016-09-06 15:41
`Diodes公司继续扩展其功率MOSFET产品组合，采用新型N和P通道器件，击穿电压高达450V，并提供多种封装选择。 Diodes Inc. MOSFET产品系列非常适合各种应用，包括DC-DC
2019-05-13 11:07
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 编辑 N沟道MOSFET PowerTrench®[N-Channel PowerTrench® MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23
