这个主要是Drain加反偏电压后，使得Drain/Bulk的PN结耗尽区延展，当耗尽区碰到Source的时候，那源漏之间就不需要开启就形成了 通路，所以叫做穿通（punch through）。
2021-05-28 10:42
MOSFET的击穿有哪几种？Source、Drain、Gate，场效应管的三极：源级S 漏级D 栅级G，（这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿）。
2022-02-09 11:42
MOSFET的击穿有哪几种? Source、Drain、Gate 场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G (这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿) 先讲测试条
2018-01-22 12:15
功率MOSFET雪崩击穿问题分析 摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时
2009-07-06 13:49
超级结又称超结，是制造功率场效应晶体管的一种技术，其名称最早岀现于1993年。传统高压功率MOSFET的击穿电压主要由n型外延层和p型体区形成的pn结耗尽区的耐压决定，又因p型体区掺杂浓度较高，耗尽区承压主要在外延n-层。
2022-09-13 14:38
随着MOSFET击穿电压额定值的增大，导通电阻也会增大。在这样场景中如何消除同步整流器上的电压尖峰和振铃，另外有源-钳位方案优势有哪些？
2019-01-15 16:05
MOSFET的击穿有哪几种？如何处理MOS管小电流发热严重情况？MOS管小电流发热的原因MOS管小电流发热严重怎么解决MOS管为什么可以防止电源反接？
2021-03-29 08:19
减小了电场集中效应，提高了SiC器件的击穿电压，SiC MOSFET的击穿电压和具体的每一个开关单元有关，同时和耐压环也有很大的关系。
2023-04-07 11:19
01MOSFET的击穿有哪几种？02如何处理mos管小电流发热严重情况？03mos管小电流发热的原因04mos管小电流发热严重怎么解决05MOS管为什么可以防止电源反接？06MOS管功率损耗测量
2021-03-05 10:54
随着MOSFET击穿电压额定值的增大，导通电阻也会增大。在这样场景中如何消除同步整流器上的电压尖峰和振铃，另外有源-钳位方案优势有哪些？
2019-01-15 16:12
