LLC电路的ZVS零电压开通十分重要，如果能够保证ZVS，则无论是开关管的损耗，还是开关管的DS电压应力，都能够得到比较好的效果。全球30A的开发过程证明，MOSFET
2023-03-20 11:30
对于MOSFET，欧姆电阻不仅仅只考虑沟道电阻，对于阻断电压在50V以上的器件中低掺杂中间区域的电阻起到决定作用。
2021-05-01 17:26
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟
2019-12-09 13:58
在电子工程领域中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）因其高集成度、低功耗等特性而被广泛应用于各种电子设备中。然而，MOSFET在开关过程中可能会产生尖峰电压，这不仅会影响电路的稳定性，还可
2024-05-30 15:49
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降
2018-07-12 10:58
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降
2018-12-03 16:59
电源设计工程师在选用 Power MOSFET 设计电源时，大多直接以 Power MOSFET 的最大耐压、最大导通电流能力及导通电阻等三项参数做出初步决定。但实际上
2024-01-20 17:08
MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通电压与漏电流之间的关系是MOS管工作特性的重要方面。以下是对这一关系的分析： 一、MOS管的导通电压 MOS管的导通电压通常指的是栅极-源极
2024-11-05 14:03
MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入
2022-04-19 10:28
相较于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的开关速度、导通电阻更低、开启电压更低的特点，越来越广泛应用于新能源汽车、工业、交通、医疗等领域。在桥式电路
2024-06-21 09:48
