MOS管的门极开通电压典型值为多少伏？那么IGBT的门极开通电压典型值又为多少伏呢？
2019-08-20 04:35
完全开通，只有导通电阻产生的导通损耗，没有开关损耗。t1-t2、t2-t3二个阶段，电流和电压产生重叠交越区，因此产生开关损耗。同时，t1-t2和t2-t3二个阶段工作于线性区，因此功率
2017-02-24 15:05
MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力 MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 2、动态特性；其测试电路和开关过程波形如图3所示。
2023-02-27 11:52
如图所示，Pspice仿真mosfet开通过程，通过仿真得到的波形如图所示（蓝色是Vds，红色是Vgs，绿色是Id），与课本上给的开通过程有区别。想请教一下仿真图中的几个问题：为什么电流Id上升
2019-06-04 20:39
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。
2025-02-26 14:41
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33
区域，也就是我们通常所说的完全导通状态、稳态时，导通电阻的正温度系数区域。 记时当时作者发表这篇文章的时候，有些读者认为，VGS电压较低时，虽然MOSFET开通了，但并
2016-09-26 15:28
第四部第四讲讲解mosfet的开关过程，当Vgs大于开启电压时，Id与Vgs逐渐增大。当Id增大至所需最大电流时，平台电压形成，Vgs与Id成比例(未完全导通)。当mosfet
2018-10-24 14:55
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号
2023-02-27 16:03
的电压不上升？栅极电荷特性对于形象的理解MOSFET的开通过程并不直观，因此下面将基于漏极导通特性解MOSFET开通过程
2016-11-29 14:36
