MOS管的门极开通电压典型值为多少伏？那么IGBT的门极开通电压典型值又为多少伏呢？
2019-08-20 04:35
完全开通，只有导通电阻产生的导通损耗，没有开关损耗。t1-t2、t2-t3二个阶段，电流和电压产生重叠交越区，因此产生开关损耗。同时，t1-t2和t2-t3二个阶段工作于线性区，因此功率
2017-02-24 15:05
开通过程[ t0 ~ t4 ]： -- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止状态，t0 时，MOSFET 被驱动开通； -- [t0-t1]区间，
2012-03-14 14:22
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。MOSFET的导通电压，也称为阈值电压（Vth），是
2024-08-01 09:19
如图所示，Pspice仿真mosfet开通过程，通过仿真得到的波形如图所示（蓝色是Vds，红色是Vgs，绿色是Id），与课本上给的开通过程有区别。想请教一下仿真图中的几个问题：为什么电流Id上升
2019-06-04 20:39
MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力 MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 2、动态特性；其测试电路和开关过程波形如图3所示。
2023-02-27 11:52
这个时候IGBT还没有开通，由于开通瞬态IGBT输入电容相当于短路，因此门极电流Ig快速上升至峰值电流，随后门极电容会逐渐被充电至开启阈值电压Vge,th，米勒平台Vgep，最后到Vcc，门极电流也逐渐减小至0。
2022-04-26 15:14
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33
功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代电力电子领域中的核心器件，其开通和关断过程原理对于理解其工作特性、设计高效电路以及确保系统稳定性至关重要。以下将对功率MOSFET的
2024-10-10 09:54
第四部第四讲讲解mosfet的开关过程，当Vgs大于开启电压时，Id与Vgs逐渐增大。当Id增大至所需最大电流时，平台电压形成，Vgs与Id成比例(未完全导通)。当mosfet
2018-10-24 14:55
