开关电源切载时MOS会有过充怎么办？快来试试这个方法！我本次调试的样机主控IC为思睿达主推的成都启臣微的CR6842S,这是一款高度集成的电流控制型PWM控制器，可用于中型到大型的离线式电源转化器
2024-09-24 08:01 思睿达工业通信芯方案 企业号
今天我们讨论大家在使用AD设计PCB时有哪些“被坑”的经历？下面是一位朋友分享的他的经历。
2018-09-23 10:15
LLC电路的ZVS零电压开通十分重要，如果能够保证ZVS，则无论是开关管的损耗，还是开关管的DS电压应力，都能够得到比较好的效果。全球30A的开发过程证明，MOSFET的DS电压应力较高的情况都是出现了硬开通。
2023-03-20 11:30
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。
2018-07-12 10:58
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。
2018-12-03 16:59
MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状
2022-04-19 10:28
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边
2018-06-11 07:51
电源设计工程师在选用 Power MOSFET 设计电源时，大多直接以 Power MOSFET 的最大耐压、最大导通电流能力及导通电阻等三项参数做出初步决定。但实际上，MOSFET/IGBT
2024-01-20 17:08
电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。
2019-06-18 16:49
IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压
2022-07-08 16:50
