过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部
2017-02-24 15:05
了解MOS管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。下面先了解MOS管的开通/关断
2021-10-28 08:37
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子
2021-01-30 13:20
功率MOSFET的感性负载关断过程和开通过程一样，有4个阶段，但是时间常数不一样。驱动回路的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功率MOS
2017-03-06 15:19
2.4A的车载快充应用，最高转换效率可以达到93%。KF8438 是开关降压型 DC-DC 转换芯片，内部集成功率 MOSFET；固定开关频率 180KHz，可减小外部元器件尺寸。芯片具有出色的线性调整率与负载调整率，输入电压最高可达40V。芯片内部集成过流保护、
2016-12-23 15:11
开关管由开通到关断的功耗测试 由开通到关断的时间Toff-rise(nS) 100 (测量电压波形的上升时间,单位ns) 由开通到关断电压的最大值Voff-max(V) 288 由
2011-06-10 10:12
区域，也就是我们通常所说的完全导通状态、稳态时，导通电阻的正温度系数区域。 记时当时作者发表这篇文章的时候，有些读者认为，VGS电压较低时，虽然MOSFET开通了，但并不是完全导通状态，因此不能称为
2016-09-26 15:28
重要了。一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：（1）开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通
2017-01-09 18:00
零电压开通高效反激电源设计与分析-FFR-AHB-电子研习社今天学习的课程是高效反激电源的设计，由梁晓军主讲。主要包括三大块内容：如何实现高功率密度的USB PD电源基于强制谐振反激零电压开通
2021-11-11 07:12
开关电源都有过负载模式，一般额定功率的的105%~150%开启保护模式。保护模式：打嗝模式，负载异常条件移除后可自动恢复。 实际测试：HF25W-SE-24，该电源1.0A24V，实际测试2A负载
2021-07-26 07:43
