过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗,以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等效电路图如图1所示,RG1为功率MOSFET外部
2017-02-24 15:05
开通过程[ t0 ~ t4 ]: -- 在 t0 前,MOSFET 工作于截止状态,t0 时,MOSFET 被驱动开通; -- [t0-t1]区间,
2012-03-14 14:22
如图所示,Pspice仿真mosfet开通过程,通过仿真得到的波形如图所示(蓝色是Vds,红色是Vgs,绿色是Id),与课本上给的开通过程有区别。想请教一下仿真图中的几个问题:为什么电流Id上升
2019-06-04 20:39
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗?栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗?
2023-05-16 14:33
功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为现代电力电子领域中的核心器件,其开通和关断过程原理对于理解其工作特性、设计高效电路以及确保系统稳定性至关重要。以下将对功率MOSFET的
2024-10-10 09:54
电子发烧友网为你提供功率MOSFET的开通过程和开通损耗资料下载的电子资料下载,更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料,希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-04-04 08:55
手机充电器有过充保护功能吗? 随着手机的普及,手机充电器也成为了人们日常生活不可或缺的一部分。许多人会担心手机充电器会存在过充问题,从而损坏手机电池或者对人体有害。那么,手机充电器
2023-09-26 17:24
对高频的DC-DC转换器,功率MOSFET是一个关键的器件.快速的开关可以降低开关LOSS, 但是在MOS漏级上dv/dt也变得越来越高.然而,高的dv/dt可能导致在没有正常的门极触发信号时MOS开通,这样会
2009-11-28 11:25
第四部第四讲讲解mosfet的开关过程,当Vgs大于开启电压时,Id与Vgs逐渐增大。当Id增大至所需最大电流时,平台电压形成,Vgs与Id成比例(未完全导通)。当mosfet完全导通时,Vgs
2018-10-24 14:55
长期供应泰德IC MOSFET产品:[tr=transparent]针对快充应用 全系列的MOSFET [/tr] [tr=transparent]PartNumberpackagecfgBv(v
2018-06-07 16:51