过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断
2017-02-24 15:05
大于B管，因此选取的MOSFET开关损耗占较大比例时，需要优先考虑米勒电容Crss的值。整体开关损耗为开通及关断的开关
2017-03-06 15:19
和计算开关损耗，并讨论功率MOSFET导通过程和自然零电压关断过程的实际过程，以便电子工程师了解哪个参数起主导作用并了解MOSF
2021-10-29 08:43
工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。1. 开通过程中MOSFET开关损耗2.
2021-01-30 13:20
功率MOSFET的Coss会产生开关损耗，在正常的硬开关过程中，关断时VDS的电压上升，电流ID对Coss充电，储存能量。在MOSFET
2017-03-28 11:17
MOSFET功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09
一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通
2021-10-29 07:10
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到
2022-11-16 08:00
时，MOS管的损耗是不容忽视的一部分。下面将详细计算MOS管的损耗。2. MOS管的损耗来源2.1 MOS开关损耗MOS在开关电源中用作开关器件，顾名思义，MOS会经常
2021-07-29 06:01
，即栅源电容Ciss和漏源电容Crss。MOSFET栅极驱动的损耗来自于开通MOSFET时辅助电压对栅极电容的充电，关断
2020-08-27 08:07
