IGBT作为一种功率开关，从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间，就像生活中开关门太快容易挤压手一样，过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。
2022-05-24 09:56
电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。
2019-06-18 16:49
mos的的损耗我们谈及最多的就是开通损耗和关断损耗，今天以反激CCM模式的开通损耗和关断损耗来把公式推导一番，希望能够给各位有所启发。
2024-01-20 17:08
在IGBT开关过程中通常用开通延迟td（on）、关断延迟td（off）、上升时间tr和下降时间tf来进行描述。
2021-05-06 10:06
有些时候，机械自动化和闪光摄影中所使用的 LED 需要快速的接通时间和长久的关断时间。要想在关断数秒之后实现 100μs 的已调 LED 电流接通，采用传统的方法并非始
2018-06-14 10:53
针对Boost PFC变换器的关断时间控制策略在工作模式切换时可能出现的交流输入电流失真的问题，提出了一种改进的关断时间控制策略，该策略在多种工作模式下，不需要任何模式
2019-01-26 09:51
功率MOSFET通常由PWM或其它模式的控制器IC内部的驱动源来驱动，为了提高关断的速度，实现快速的关断降低关断损耗提高系统效率，在很多ACDC电源、手机充电器以及适配
2020-06-07 12:01
你要是想读懂这篇文章，请先去了解MOS管的基础知识，本文是在基础之上做出的一部分扩展，可能有一点点深，请各位同学注意。
2023-11-15 17:25
在带变压器的开关电源拓扑中，开关管关断时，电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要部分，同时，由于电路中存在杂散电感和杂散电容，在功率开关管关断时，电路中也会出现过电压并且产生振荡。如果尖峰
2017-12-07 09:41
随着能源的日益紧张，国家高度重视严格能效约束，推动了各行各业的节能降碳。另外，随着电源的能效标准（DoE Level VI和CoC Tier2）的颁布，电源的效率提高也是放到了各位攻城狮的面前，面对效率要求的不断提高以及棘手的温升问题，同步整流应运而生，轻松化解上述难题。本期东科技术团队为各位fans分享关于同步整流那些事。
2023-06-21 09:27
