同步整流ic的开通关断机制核心依赖于漏源电压的精确检测，以实现高效整流并避免共通故障等风险。其电压关系具体体现在开通和关断阈值的设计上，确保MOSFET在适当时机导通
2025-08-26 10:22
功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代电力电子领域中的核心器件，其开通和关断过程原理对于理解其工作特性、设计高效电路以及确保系统稳定性至关重要。以下将对功率M
2024-10-10 09:54
IGBT作为一种功率开关，从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间，就像生活中开关门太快容易挤压手一样，过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。
2022-05-24 09:56
开关电源作为电子产品的“心脏”，发挥着提供动力的作用。今天让我们一起来认识下有效导通关断NMOS管的“窍门”。
2021-12-16 16:05
实验一 晶闸管的测试及导通关断条件测试实验 1．实验目的（1）观察晶闸管的结构，掌握正确的晶闸管的简易测试方法； （2）验证晶闸管的导通条件
2008-09-25 21:45
本文就MOSFET的开关过程进行相关介绍与分析，帮助理解学习工作过程中的相关内容。首先简单介绍常规的基于栅极电荷的特性，理解MOSFET的开通和关断的过程，然后从漏极导
2023-12-04 16:00
mos的的损耗我们谈及最多的就是开通损耗和关断损耗，今天以反激CCM模式的开通损耗和关断损耗来把公式推导一番，希望能够给各位有所启发。
2024-01-20 17:08
GTO与晶闸管的开通与关断有什么不同之处 GTO（Gate Turn-Off Thyristor）和晶闸管（Thyristor）是两种电力电子器件，它们都被广泛应用于交流电路的控制中。虽然这两种
2023-09-13 17:08
实际的功率MOSFET 可用三个结电容，三个沟道电阻，和一个内部二极管及一个理想MOSFET 来等效。三个结电容均与结电压的大小有关，而门极的沟道电阻一般很小，漏极和源极的两个沟道电阻之和即为MOSFET 饱和时的通
2023-02-17 18:11
电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。
2019-06-18 16:49
