是否有白皮书明确规定了如何使用 MosFET 开启特性来抑制浪涌电流？ 设计类似于 TLE9853 评估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。 通过模拟感性负载，我们 CAN 控制电流
2024-01-29 07:41
当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。 功率MOSFET
2023-02-27 11:52
像蜡烛一样，功率MOSFET（功率场效应晶体管）是切换负载最常见的方式，其四周围绕着众多分立电阻器与电容器（以及用于控制功率MOSFET的双极结型晶体管（BJT）/第二个场效应晶体管）围绕的功率
2022-11-17 08:05
描述DC-DC 转换器 33-42 Vin/12V, 5A 输出该项目最初旨在为驱动 BLDC 电机的半桥开启高端和低端 MOSFET。最好将此设计与栅极驱动器连接。PCB+展示
2022-08-09 06:31
最近在调试PFC，上电瞬间，TT PFC的高频下半桥就短路了，烧了好几只管子，后面发现是Mosfet的驱动电阻没有贴上，请问这个对Mos的影响有多大？多大的电压、电流会使得开关管失效？
2021-04-07 21:02
，几乎没有开关特性的温度依存性。图3: 开关温度特性关于MOSFET的VGS(th)(界限値)关于MOSFET的VGS(th)MOSFET开启时，GS (栅极、源极)
2019-04-10 06:20
大家好，问个在网上经常碰到的问题，但我想再问得深入些。 关于MOSFET，就说NMOS管吧，平时说到栅极，大家都习惯性的串接一个栅极电阻大小从10欧--100欧不等。 而且有人说为了提高开通速度甚至
2013-02-08 15:28
的参数，决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。6、VGS(th)：开启电压（阀值电压）。当外加栅极控制电压VGS
2016-05-23 11:40
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻
2018-11-30 11:34
采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与IGBT不同，不存在
2019-04-09 04:58
