（典型值），采用SOW-18（宽体）封装， 高达5000Vrms的隔离电压，适用于于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。BTD25350功
2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑
2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
目前，传统的直流充电桩拓扑电路，一般是三相交流380V输入电压经过PFC维也纳AC/DC电路后，得到直流母线电压，然后经过两路全桥LLC DC/DC电路，输出200V到1000V高压给新能源汽车充电
2023-08-02 10:29 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
简介SY6280A是一种经济有效、低电压、单P-MOSFET负载开关，为自供电和总线供电的通用串行总线(USB)应用进行了优化。该开关的输入范围从2.4V到5.5V，使它非常适合3V和5V系统。该
2024-11-30 11:28 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度，更低的损耗和
2023-05-29 10:16 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
工作温度：（-30～105）℃存储温度：（-40～125）℃额定电压：12V工作电压：（8.5～16.5）V（满足启动脉冲要求）暗电流不大于 0.1mA@12V@25℃功能1) 响应 CAN 信号
2024-01-15 16:30 墨翟科技（上海）有限公司 企业号
