是否有白皮书明确规定了如何使用 MosFET 开启特性来抑制浪涌电流？ 设计类似于 TLE9853 评估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。 通过模拟感性负载，我们 CAN 控制电流
2024-01-29 07:41
芯片真空封装开启前后的存储条件是什么？
2020-12-24 06:47
描述DC-DC 转换器 33-42 Vin/12V, 5A 输出该项目最初旨在为驱动 BLDC 电机的半桥开启高端和低端 MOSFET。最好将此设计与栅极驱动器连接。PCB+展示
2022-08-09 06:31
PCM1863的MICBIAS开启条件是什么？是不是上电默认就是开启并有输出的？我的板子，在上电后PCM1863 的MICBIAS没有输出，配置page3 0x15寄存器，也没输
2024-10-14 07:22
，几乎没有开关特性的温度依存性。图3: 开关温度特性关于MOSFET的VGS(th)(界限値)关于MOSFET的VGS(th)MOSFET开启时，GS (栅极、源极)
2019-04-10 06:20
情况下，系统必须独立控制哪些负载开启，何时开启，以什么速度开启。利用分立MOSFET电路或集成负载开关便能完成这种功率切换，如图1所示。图1：从电源切换到多个负载分立
2022-11-17 08:05
，ID随VGS而变化。从VGS(th)的规格值的角度看，只要条件没有确定，就无法保证VGS(th)的值，因此在MOSFET的技术规格中规定了条件。这个表是从N-ch 600V 4A的功率
2018-11-28 14:28
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在
2019-04-09 04:58
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在
2019-05-07 06:21
第四部第四讲讲解mosfet的开关过程，当Vgs大于开启电压时，Id与Vgs逐渐增大。当Id增大至所需最大电流时，平台电压形成，Vgs与Id成比例(未完全导通)。当mosfet完全导通时，Vgs
2018-10-24 14:55
