本帖最后由 松山归人 于 2022-2-10 16:57 编辑 大家下午好！今天给大家带来【MOSFET与IGBT基础讲解】，会持续更新，有问题可以留言一同交流讨论。需要更多学习资料可点击下方链接，添加客服领取http://zyunying.zhangfei
2022-02-10 16:54
一课，张飞老师精细讲解MOS管的运用，带你吃透每个知识点【打卡第一课】MOSFET 的认识及 MOSFET 与三极管对比功耗分析【打卡第二课】MOSFET 损耗问题讨论
2021-05-28 09:23
芯片最底层的原理二进制运算，所以我们要用最基本的电子元件来模拟1和0，通电为1，不通电为0。接下来我们就介绍一下可以达成这样目的的元件。我们讲解一下MOSFET。我们在半导体硅里进行两种参杂，如上图
2023-02-14 15:19
版）实用电力电子技术丛书《MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用》MOS管驱动电路总结电源中的MOSFET性能的四项关键测试PFC中开关mosfet驱动电路的设计与
2019-04-19 17:45
开关MOSFET中的噪声（STGF20NB60S）以上来自于谷歌翻译以下为原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子
2021-01-30 13:20
中的数据进行对比，观察是否在MOSFET的安全工作区域内。当VDS电压在100V时，如果测到的ID电流在2.1A~6A这个区间，那么MOSFET只能承受10ms，越往上时间越短。只要在实线区域内，MOSFET都是安全
2021-09-07 15:27
第四部第四讲讲解mosfet的开关过程，当Vgs大于开启电压时，Id与Vgs逐渐增大。当Id增大至所需最大电流时，平台电压形成，Vgs与Id成比例(未完全导通)。当mosfet
2018-10-24 14:55
MOSFET）。但在多数情况下，使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。系统中的负载开关在哪里一个典型系统包括一个电源和多个负载，需要各种不同的负载电流，如Bluetooth®、Wi-Fi或处理器轨。多数
2022-11-17 08:05
就越小；Qg越小，Rdson越大。Ciss：输入电容，Cgs+Cgd。影响MOSFET的开关时间，数据越大，开关越慢，开关损耗就越大，但是EMI特性就越好，反之亦然。C
2021-09-01 17:10
