• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
  • 全部板块
    • 全部板块
大家还在搜
  • 开关电源设计之:P沟道和N沟道MOSFET比较

    自1980年代中期以来,MOSFET一直是大多数开关电源(SMPS)首选的晶体技术。当用作门控整流器时,MOSFET是主开关晶

    2021-04-09 09:20

  • P沟道和N沟道MOSFET开关电源中的应用

    本帖内容来源:《电子技术设计》2018年3月刊版权所有,转载请注明来源及链接。 自1980年代中期以来,MOSFET一直是大多数开关电源(SMPS)首选的晶体技术。当用作门控整流器时,

    2018-03-03 13:58

  • MOSFET(MOS)中的“开关”时间可以改变电压吗?

    MOSFET(MOS)中的“开关”时间可以改变电压吗?

    2023-05-16 14:26

  • 基于TL494的BUCK电路,用MOSFET开关,如何驱动MOSFET

    [size=13.63636302948px]BUCK电路里面如果用MOSFET开关,TL494做脉冲宽度调制 (Pwm) 控制电路,请问怎么驱动MOSFET,,,

    2014-11-15 16:35

  • 如何使用负载开关取代分立MOSFET

    像蜡烛一样,功率MOSFET(功率场效应晶体)是切换负载最常见的方式,其四周围绕着众多分立电阻器与电容器(以及用于控制功率MOSFET的双极结型晶体(BJT)/第二

    2022-11-17 08:05

  • 开关电源常用的MOSFET驱动电路

    寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等,都会影响MOSFET开关性能。当电源IC与MOS选定之后, 选择合适的驱动电路来

    2017-01-09 18:00

  • 功率MOSFET开关损耗:关断损耗

    公式计算:同样,关断损耗的米勒平台时间在关断损耗中占主导地位。对于两个不同的MOSFET,如A和B,即使A的Qg和Ciss小于B

    2017-03-06 15:19

  • MOSFET开关电压Vgs

    如题。请问一下,MOSFET的手册里面哪个参数能看的出来,当其作为开关,完全打开的时候,Vgs的电压?同事跟我讲,默认12V大多数都可以完全打开(NMOS)。低于12V就有点悬,MOS打开不完全

    2020-11-11 21:37

  • MOSFET开关特性及其温度特性

    、关断延迟时间::Td(off)、下降时间:tf。下面是从以低导通电阻和高速开关为特征的Nch 600V 4A的MOSFET R6004KNX的技术规格中摘录的内容。这些参数的名称和符号,各厂家间可能

    2018-11-28 14:29

  • 开关电源之MOSFET的关断缓冲电路的设计详解

    V,输出为直流12 V和直流0.5 A。 开关Q为MOSFET,型号为IRF830,其tf一般为30 ns。Dl、D2、D3为快恢复二极,其tf很小(通常tf=

    2018-11-21 16:22