MOSFET）。但在多数情况下，使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。系统中的负载开关在哪里一个典型系统包括一个电源和多个负载，需要各种不同的负载电流，如Bluetooth®、Wi-Fi或处理器轨。多数
2022-11-17 08:05
的开关过程基于电流源来讨论。当驱动信号加在功率MOSFET的栅极时，开通过程分为4个模式（阶段），其等效电路如图2所示。图2：功率MOSFET开通过程图3：功率MOSFET
2017-02-24 15:05
，RDown为驱动电路的下拉电阻，关断时栅极总的等效串联栅极电阻RGoff=RDown+RG1+RG2。图1：功率MOSFET驱动等效电路图2：功率MOSFET关断波形（1）模式M1：t5-t6栅极驱动
2017-03-06 15:19
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子
2021-01-30 13:20
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选
2017-01-09 18:00
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选
2021-10-28 06:56
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极
2022-11-16 08:00
开关电源MOSFET驱动电路介绍及分析(4)
2019-03-12 11:37
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 20:50 编辑 南华大学黄智伟 开关稳压器的MOSFET发热？
2013-04-06 09:27
另一方面，诸如FET固有体二极管的输出电荷 (QOSS) 和反向恢复电荷(Qrr) 等开关参数是造成很多高频电源应用中大部分FET开关损耗的关键因素。不好意思，我说的这些听起来有点儿前言不搭后语
2022-11-18 08:05
