`开关电容电路及MOSFET_C连续时间电路——原理与应用 166页 1.9M`
2012-08-20 16:30
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选
2017-01-09 18:00
公式计算：同样，关断损耗的米勒平台时间在关断损耗中占主导地位。对于两个不同的MOSFET，如A管和B管，即使A管的Qg和Ciss小于B管的，但如果A管的Crss比B管的大得多时，A管的开关损耗就有可能
2017-03-06 15:19
MOSFET）。但在多数情况下，使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。系统中的负载开关在哪里一个典型系统包括一个电源和多个负载，需要各种不同的负载电流，如Bluetooth®、Wi-Fi或处理器轨。多数
2022-11-17 08:05
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子
2021-01-30 13:20
的开通过程中，跨越线性区是产生开关损耗的最根本的原因。这表明：米勒平台时间在开通损耗中占主导地位，这也是为什么在选择功率MOSFET的时候，如果关注开关损耗，那么就应该
2017-02-24 15:05
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选
2021-10-28 06:56
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极
2022-11-16 08:00
开关电源MOSFET驱动电路介绍及分析(4)
2019-03-12 11:37
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 20:50 编辑 南华大学黄智伟 开关稳压器的MOSFET发热？
2013-04-06 09:27
