开关时间会拖的很长。一般推荐值加0.1Ciess的电容值是有好处的。 下图中粗黑线中那个平缓部分就是米勒平台。 文件过大，需要完整版资料可下载附件查看哦！
2025-03-25 13:37
消除米勒效应。但此时开关时间会拖的很长。一般推荐值加0.1Ciess的电容值是有好处的。 下图中粗黑线中那个平缓部分就是米勒平台。 删荷系数的这张图在第一个转折点处
2018-12-19 13:55
MOSFET输入电容，Rg为MOSFET的栅极电阻。 VGS电压从0增加到开启阈值电压VTH前，漏极没有电流流过，时间t1为： VGS电压从VTH增加到米勒
2025-02-26 14:41
MOSFET开时米勒平台的形成过程的详细解析！纯手工画图解析，这资料还是可以的回帖直接下载原文档 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14
动态恒流区、一段稳定时间的米勒平台恒流区，此时MOSFET均工作于放大状态，这也可以理解：MOSFET在
2016-11-29 14:36
公式计算：同样，关断损耗的米勒平台时间在关断损耗中占主导地位。对于两个不同的MOSFET，如A管和B管，即使A管的Qg和Ciss小于B管的，但如果A管的Crss比B管的
2017-03-06 15:19
MOSFET达到抑制误开通的效果。04 米勒钳位作用//双脉冲平台实测对比测试条件：上管VGS=0V/+18V,下管VGS=0V；VDS=800V；ID=40A；Rg=8.2Ω；Lload=200uH；Ta
2025-01-04 12:30
，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电
2021-01-27 15:15
MOS管的开关时间是怎么来测试的.怎么测试出来多少个ns?看资料上的上升时间和下降时间是不是对应的mos管的开关的时间?
2014-12-15 19:48
的开通过程中，跨越线性区是产生开关损耗的最根本的原因。这表明：米勒平台时间在开通损耗中占主导地位，这也是为什么在选择功率MOSF
2017-02-24 15:05
