Q关断，集电极电压开始上升到2Vdc，电容C限制集电极电压的上升速度，并减小上升电压和下降电流的重叠，减低开关管Q的损耗。
2023-05-30 09:18
在带变压器的开关电源拓扑中，开关管关断时，电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要部分，同时，由于电路中存在杂散电感和杂散电容，在功率
2017-12-07 09:41
功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代电力电子领域中的核心器件，其开通和关断过程原理对于理解其工作特性、设计高效电路以及确保系统稳定性至关重要。以下将对功率MOSFET的开通和
2024-10-10 09:54
金属氧化物半导体结构组成。MOSFET是一种主要用于控制电流的无源器件，它具有高频特性和高电阻特性。MOSFET可用于各种应用，包括电源管理、模拟电路和数字电路中的开关和放大器。
2023-08-04 15:24
MOSFET才导通，因此同步MOSFET是0电压导通ZVS，而其关断是自然的0电压关断ZVS，因此同步MOSFET在整个
2012-04-12 11:04
本文就MOSFET的开关过程进行相关介绍与分析，帮助理解学习工作过程中的相关内容。首先简单介绍常规的基于栅极电荷的特性，理解MOSFET的开通和关断的过程，然后从漏极导
2023-12-04 16:00
上一篇文章中介绍了LS开关导通时栅极 – 源极间电压的动作。本文将继续介绍LS关断时的动作情况。低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作：下面是表示LS MOSFET
2023-02-08 13:43
