本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子
2021-01-30 13:20
过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等
2017-02-24 15:05
公式计算：同样，关断损耗的米勒平台时间在关断损耗中占主导地位。对于两个不同的MOSFET，如A管和B管，即使A管的Qg和Ciss小于B管的，但如果A管的Crss比B管的大得多时，A管的
2017-03-06 15:19
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。 MOSFET
2025-02-26 14:41
，在这两种情况下估算时间t3作为MOSFET的上升和下降时间，您可使用等式4估算开关损耗：开关损耗取决于频率和输入电压。
2018-06-05 09:39
如何更加深入理解MOSFET开关损耗？Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响？
2021-04-07 06:01
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极
2022-11-16 08:00
SiC-MOSFET和SiC肖特基势垒二极管的相关内容，有许多与Si同等产品比较的文章可以查阅并参考。采用第三代SiC沟槽MOSFET，开关损耗进一步降低ROHM在行业中率先实现了沟槽结构
2018-11-27 16:37
损耗通过等式2表示：在等式3中加上总开关损耗的结果：注意，在图1中，t2比第三个时段（t3）短得多。因此，在这些等式中，你可以估算在t3时段中的损耗。在一个时段这些有限
2018-08-30 15:47
3、开关动态损耗 由于开关损耗是由开关的非理想状态引起的，很难估算MOSFE
2021-12-29 07:52
