开关MOSFET中产生振铃和电压尖峰的现象是电力电子转换过程中常见的问题，尤其是在高频开关应用中更是如此。这接下来，我们将详细探讨这些现象的起因。
2024-06-09 11:29
开关振铃是指在电子设备中，当开关从一个状态切换到另一个状态时，由于寄生电容、电感等元件的存在，导致电路中的电压和电流发生瞬时波动的现象。
2024-02-17 15:36
遥控振铃扩展器开关电路图
2009-04-13 09:10
MOS上升时间和下降时间变短）提高以后，电磁干扰EMI随之增加。同步降压DC-DC中，高速开关的场效应管在开关节点会有巨大的电压过冲和振铃，振铃的大小与高侧MOS的
2023-08-30 16:28
寄生电感是SiC MOSFET Vds尖峰和振铃的主要原因。SiC MOSFET的快速开关速度会导致较高Vds尖峰和较长的振铃
2022-08-29 15:20
本文首先介绍了振铃效应原理，其次介绍了振铃效应产生的原因及在实际电路中减小和抑制振铃方法，最后介绍了图像处理中振铃的现象。
2018-05-14 10:18
电话振铃的改进电话振铃改进电路如图所示。将原电话铃电路切断，串入一只开关S，再在S的两端并一氖泡H和一只RJ-0.5W-100KΩ的电阻（H与R是串联的，R为限流
2009-08-19 15:54
开关电源和Class D功放，因为电路工作在开关状态，大大降低了电路的功率损耗，在当今的电子产品中得到了广泛的应用。由于寄生电感和寄生电容的存在，电路的PWM开关波形在跳变时，常常伴随着
2016-12-19 01:05
4.5.1振铃及其成因
2018-08-17 00:40
升压转换器开关节点的振铃最小化 问题的描述 图一（Boost升压电源）的电路图展示了由寄生电感及电容所构成的升压转换器的关键环路，电感及电容分别以LPAR(寄生电感)和CPAR(寄生电容)标签进行参考标注。
2018-03-16 11:15
