开关MOSFET中产生振铃和电压尖峰的现象是电力电子转换过程中常见的问题，尤其是在高频开关应用中更是如此。这接下来，我们将详细探讨这些现象的起因。
2024-06-09 11:29
开关振铃是指在电子设备中，当开关从一个状态切换到另一个状态时，由于寄生电容、电感等元件的存在，导致电路中的电压和电流发生瞬时波动的现象。
2024-02-17 15:36
开关电源的振铃与抑制
2017-09-15 17:15
通时的示意图。寄生电容C2被充电，寄生电感L1～L5积蓄能量，当开关节点的电压等于VIN时，积蓄于L1～L5的能量与C2产生谐振，发生较大振铃。其次，高边MOSFET关断时，同样寄生电容C2被充电，寄生
2018-12-03 14:33
请问INA240中mosfet开关动作一次，振铃ring的时间大约是多久？
2024-08-05 06:05
如何判断SW节点的振铃是否在MOSFET承受范围内？TI的许多集成MOSFET的同步降压芯片只标注了Vin的电压规格，对于集成的MOSFET的雪崩击穿能量等没有详细的参
2019-04-08 11:57
高电流，负载点（POL）降压转换器利用金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）为输出滤波器提供脉冲宽度调制（PWM）脉冲序列。降压转换器功率级元件的布局将直接影响开关节点上的振铃幅度，如果控制
2018-09-26 10:43
遥控振铃扩展器开关电路图
2009-04-13 09:10
MOS上升时间和下降时间变短）提高以后，电磁干扰EMI随之增加。同步降压DC-DC中，高速开关的场效应管在开关节点会有巨大的电压过冲和振铃，振铃的大小与高侧MOS的
2023-08-30 16:28
寄生电感是SiC MOSFET Vds尖峰和振铃的主要原因。SiC MOSFET的快速开关速度会导致较高Vds尖峰和较长的振铃
2022-08-29 15:20
