集成负载开关便能完成这种功率切换，如图1所示。图1：从电源切换到多个负载分立MOSFET电路包含多个组件来控制分立功率MOSFET的导通与关断。这些电路可通过来自微控制
2018-09-03 15:17
如何更加深入理解MOSFET开关损耗？Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响？
2021-04-07 06:01
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52
开关MOSFET中的噪声（STGF20NB60S）以上来自于谷歌翻译以下为原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28
请问如何通过MOSFET上的导通时间tdon，上升沿时间tr，关断时间toff，下降沿时间tf 来确定 MOSFET 的开关频率大概是多少？
2019-01-09 18:29
速度。更能说明器件实际开关速度的是器件的栅极电荷参数和内部栅极电阻，Rg，这两个参数几乎不受这些技术指针差距 (specmanship) “游戏”的影响。图2：定义MOSFET数据表
2018-09-05 09:59
MOSFET中的开关损耗为0.6 mJ。这大约是IGBT测量的2.5 mJ的四分之一。在每种情况下，均在 800 V、漏极/拉电流 10 A、环境温度 150 °C 和最佳栅极-发射极阈值电压下进行测试（图
2023-02-22 16:34
如题。请问一下，MOSFET的手册里面哪个参数能看的出来，当其作为开关管，完全打开的时候，Vgs的电压？同事跟我讲，默认12V大多数都可以完全打开(NMOS)。低于12V就有点悬，MOS打开不完全
2020-11-11 21:37
开关管MOSFET的功耗分析MOSFET的损耗优化方法及其利弊关系
2020-12-23 06:51
如何实现高压MOSFET控制器简化非隔离开关的设计？
2021-10-12 11:44
