集成负载开关便能完成这种功率切换，如图1所示。图1：从电源切换到多个负载分立MOSFET电路包含多个组件来控制分立功率MOSFET的导通与关断。这些电路可通过来自微控制
2018-09-03 15:17
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选
2017-01-09 18:00
情况下，系统必须独立控制哪些负载开启，何时开启，以什么速度开启。利用分立MOSFET电路或集成负载开关便能完成这种功率切换，如图1所示。图1：从电源切换到多个负载分立MOSFE
2022-11-17 08:05
过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等效电路图如图1所示，RG1为功率
2017-02-24 15:05
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成
2022-11-16 08:00
的过程，然后从漏极导通特性、也就是放大特性曲线，来理解其开通关断的过程，以及MOSFET在开关过程中所处的状态。1、MOSFET栅极电荷特性与开关过程基于栅极电荷的
2016-11-29 14:36
过程中MOSFET开关损耗功率MOSFET的栅极电荷特性如图1所示。值得注意的是：下面的开通过程对应着BUCK变换器上管的开通状态，对于下管是0电压开通，因此开关损耗很
2025-02-26 14:41
功率MOSFET的感性负载关断过程和开通过程一样，有4个阶段，但是时间常数不一样。驱动回路的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功率MOS
2017-03-06 15:19
如题。请问一下，MOSFET的手册里面哪个参数能看的出来，当其作为开关管，完全打开的时候，Vgs的电压？同事跟我讲，默认12V大多数都可以完全打开(NMOS)。低于12V就有点悬，MOS打开不完全
2020-11-11 21:37
沟道MOSFET也可用作降压稳压器高侧开关。这些应用需要自举电路或其它形式的高侧驱动器。图1：具有电平移位器的高侧驱动IC。图2：用自举电路对高侧N沟道
2021-04-09 09:20
