功率Mosfet参数介绍 第一部分 最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)
2009-11-21 11:39
本文用图片向你详细讲解MOSFET参数的各种知识，通俗易懂，且易于学习，希望能帮助你的学习。
2021-04-13 11:56
最近分析了Mosfet的寄生参数，其中Eoss是一个非常重要的参数。
2023-03-08 15:03
碳化硅（SiC）MOSFET作为宽禁带半导体材料（WBG）的一种，具有许多优异的参数特性，这些特性使其在高压、高速、高温等应用中表现出色。本文将详细探讨SiC MOSFET的主要
2025-02-02 13:48
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代电子工业中的核心元件之一，其参数与工艺对于电路的性能、效率及可靠性具有至关重要的影响。以下将从MOSFET的主要参数
2024-07-24 16:31
EAS 表示单脉冲雪崩击穿能量，如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩 击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。
2023-12-11 14:34
MOSFET处于导通状态下的阻抗。导通阻抗越大，则开启状态时的损耗越大。因此，要尽量减小MOSFET的导通阻抗。
2023-09-06 10:47
雪崩强度是MOSFET的一种特性。在MOSFET的漏极和源极之间施加超过VDSS的电压，但是MOSFET的性能没有被破坏。此时施加在其上的能量称为雪崩能量[Avalanche energy]，流过的电流称为雪崩电流[
2023-08-31 10:18
规格书中会给出一颗元件的相关参数值和曲线。在设计初期选择元件时，通过这些参数可以评估某颗元件是否适合应用在需要的电路中。在规格书中，一些参数的测试条件（也就是得到这些参数
2023-08-31 10:18
