WAYON维安MOSFET参数选型推广与应用
2021-10-27 16:03
电子发烧友网站提供《电机控制应用程序的关键MOSFET参数.pdf》资料免费下载
2023-07-24 16:38
汽车MOSFET参数对照表 汽车MOSFET料号结构类型封装沟道VDS (V) VGS (V) ID Max. (A) PD Max. (W) Rds(on) @ 10 V (欧姆)SQ1026X
2010-03-08 14:20
2014-03-17 11:17
SGT-MOSFET各项参数解读
2024-12-30 14:15
VDSS 最大漏-源电压 在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性. VGS 最大栅源电压 VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的
2022-05-09 15:28
2014-11-04 16:27
`国外MOSFET管子参数对照手册`
2012-10-10 10:32
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键
2023-06-16 06:04
，不过设计人员在根据这些参数比较不同的FET时要小心，这是因为测试条件决定一切，事情往往是如此！图1显示的是，在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的两个不同di/dt速率上测得的输出电荷
2022-11-18 08:05
