℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的相关章节专门的讨论。 图1：BVDSS测试电路功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层
2016-09-06 15:41
带电压反相器的CAT660 100 mA CMOS电荷泵的典型应用。 CAT660是一款电荷泵电压转换器。它将1.5 V至5.5 V输入反相至-1.5 V至-5.5 V输出
2019-04-23 09:21
：Q--试样带电量，C； C--苯乙烯电容器电容量，F； V--电位计指示的电压值，V； q--试样带电电荷密度，C/m平方； A--试样被摩擦的面积，m平方。 10 结果的计算 10.1
2017-09-30 11:52
讨论如何根据RDS（ON）、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。 MOSFET的选择 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，
2011-08-17 14:18
工程师习惯性的认为：如果VGS尖峰电压大于功率MOSFET的阈值电压VTH，下管就会导通，那么上、下管就会产生直通，也就是所谓的Shoot Through，从而导致开关管的损坏。VTH，功率
2016-11-08 17:14
为什么MOSFET只加驱动电压10V左右就开始发热，请各位大神给予意见，谢谢！！
2013-05-16 19:48
带电压反相器的CAT661高频100 mA CMOS电荷泵的典型应用。 CAT661是一款电荷泵电压转换器。它可以将正输入电压反转为负输出。只需要两个外部电容
2019-04-23 09:20
` 局放带电检测 总线控制器外观图局部放电装置外观图用途主要用于110kV及以上等级高压电缆局部放电检测。1.利用电容臂、HFCT等测量传感器配件对电缆进行带电局部放电检测。2.配合变频或串联谐振
2017-07-25 15:36
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计
2021-07-29 09:46
MOSFET一般工作在桥式拓扑结构模式下，如图1所示。由于下桥MOSFET驱动电压的参考点为地，较容易设计驱动电路，而上桥的驱动电压是跟随相线
2021-07-27 06:44
