和社会成本,加速产品进入市场的时间,促进技术的交流和进步。综述了国内外无铅工艺实施有关的原材料、元器件、PCB、工艺以及可靠性方面的标准化进展情况。并对无铅化的标准体系进行分析,对无铅化标准的发展情况
2010-04-24 10:08
运动。MOSFET的控制栅压作用于横跨绝缘层的沟道区，而不像结型场效应管那样横跨PN结。栅极用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)来绝缘。MOSFET可以是P沟道也可以是N沟道，其工作可以是耗尽型或者增强型
2012-12-10 21:37
运动。MOSFET的控制栅压作用于横跨绝缘层的沟道区，而不像结型场效应管那样横跨PN结。栅极用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)来绝缘。MOSFET可以是P沟道也可以是N沟道，其工作可以是耗尽型或者增强型
2012-01-06 22:55
电源管理半导体的新进展1979年电力电子学会在我国成立，此后，人们开始把用于大功率方向的器件称为电力半导体。由于微电子学把相关的器件称为微电子器件，从而也有了电力电子器件之称。电力半导体和电力
2009-12-11 15:47
，新能源 工业的控制电路中。按工艺分有VDMOS， trench mosfet， Superjunction mosfet。其中trench 主要用在中低压mosfet
2011-03-07 14:30
MOS的结构碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源区和P井掺杂都是采用离子注入的方式，在1700℃温度中进行退火激活。一个关键的工艺是碳化硅MOS栅氧化物的形成。由于碳化硅材料中同时有Si和C
2019-09-17 09:05
，Si-MOSFET在这个比较中，导通电阻与耐压略逊于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率条件下，高速工作表现更佳。平面MOSFET与超级结MOSFETSi-MOSF
2018-11-28 14:28
。正因为这些优点，也驱使半导体制造公司不断的采取新的工艺，追求更低的工艺尺寸，来提升半导体器件的性能、降低功耗。图2：变形的平面横向导电MOSFET结构图2右上角为平面MOSF
2017-01-06 14:46
近十年来，MEMS的研究进展非常迅速，在汽车、信息、航空、航天等领域得到了广泛的应用。同时，MEMS CAD软件研究也取得了长足的进步。目前的商用MEMS CAD系统一般包括三个方面的设计功能：系统
2019-06-25 06:41
PNA- 天线和RCS测量进展
2019-09-18 09:19
