和社会成本,加速产品进入市场的时间,促进技术的交流和进步。综述了国内外无铅工艺实施有关的原材料、元器件、PCB、工艺以及可靠性方面的标准化进展情况。并对无铅化的标准体系进行分析,对无铅化标准的发展情况
2010-04-24 10:08
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代电子工业中的核心元件之一，其参数与工艺对于电路的性能、效率及可靠性具有至关重要的影响。以下将从MOSFET的主要参数、不同工
2024-07-24 16:31
上海雷卯电子有Trench工艺和平面工艺MOSFET，为什么有时候推荐平面工艺MOSFET呢，有时候推荐用Trench
2023-09-27 09:27
本文通过图文并茂的方式生动展示了MOSFET晶体管的工艺制造流程，并阐述了芯片的制造原理。 MOSFET的工艺流程 芯片制造
2024-11-24 09:13
目前有许多MOSFET技术和硅工艺，每天都有新的进展。基于电压/电流额定值或芯片尺寸来对MOSFET驱动器与MOSFET
2018-11-01 16:19
10月25日凌晨，Intel发表了Q3季度财报，营收持平但盈利下滑了6%。对Intel来说，最大的挑战还是他们的芯片工艺，在这次财报会议，Intel CEO司睿博也谈到了工艺进展，10nm
2019-10-26 10:59
、高密度布线的优势吸引了大量研究者的目光。总结了 RDL-first 工艺的技术路线及优势，详细介绍其工艺进展，模拟其在程序中的应用，并对 RDL-first 工艺的发
2023-12-07 11:33
运动。MOSFET的控制栅压作用于横跨绝缘层的沟道区，而不像结型场效应管那样横跨PN结。栅极用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)来绝缘。MOSFET可以是P沟道也可以是N沟道，其工作可以是耗尽型或者增强型
2012-12-10 21:37
1200V SiC MOSFET又有了新进展。 本土IDM 厂商量产第三代SiC MOSFET 工艺平台 最近瞻芯
2024-06-25 00:05
近日，中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）碳化硅电力电子器件研究团队在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET
2017-11-08 15:14
