使用NPN晶体管的应用有很多种，最常见的电路其实就是用作开关，逻辑，以及放大应用，当我们将晶体管用作开关以及逻辑电路中时，此时三极管一般是在截止区和饱和区状态下
2022-04-25 13:43
本文介绍了MOSFET的物理实现和操作理论。MOSFET由NMOS和PMOS构成，有截止区、线性区和饱和
2023-11-15 09:30
MOSFET的SOA图。考虑将 10V/100A 的电压施加到 MOSFET 的条件。查看 SOA 图上的相应点，我们看到它介于 1ms 和 10ms 行之间。该图表明，如果外壳（片片）保持
2023-01-04 15:08
三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定，即不能采用饱和
2023-06-05 14:26
为了理解IGBT进入退饱和的过程机理，我们有必要简单比较下MOSFET和IGBT结构上的区别：简单来看，IGBT在MOSFET的基本结构上增加了一个P+层提供空穴载流子
2023-01-17 13:59
的三种工作状态条件，分别是截止区、放大区和饱和区。 首先，我们来介绍三极管的截止
2024-01-15 17:37
下MOSFET的工作波形。由于感性负载下，电流相位上会超前电压，因此保证了MOSFET运行的ZVS。要保证MOSFET运行在感性
2018-06-11 07:51
MOSFET工作在饱和区时，具有信号放大功能，栅极的电压和漏极的电流基于其跨导保持一定的约束关系，栅极的电压和漏极的电流
2023-11-27 18:03
晶体三极管有三个工作区，即放大区、截止区、饱和区。电路设计时，可根据电路的要求，让晶体管
2018-05-07 08:35
