的“热点”特性！这种自冷却机制的同等重要的结果是便于并联 MOSFET 以提升某种器件的电流性能。双极型三
2025-06-03 15:39
` 谁来阐述一下mosfet是什么型器件？`
2019-10-25 16:06
谁来阐述一下mosfet是电压型器件吗
2019-10-25 15:58
引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极性三极
2023-02-10 15:33
采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件
2019-05-07 06:21
1. 器件结构和特征 Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极
2023-02-07 16:40
通电阻比普通产品低61%（双极MOSFET的Pch部分比较），有助于进一步降低各种设备的功耗。此外，通过将两枚器件集成到一个封装中，有助于通过减少安装面积从而实现设备的
2021-07-14 15:17
能力跟栅极电压有关，栅极电压越高，沟道的宽度和导电能力越强。可以认为，当栅极小于开启电压UT时，没有沟道形成。所以在MOSFET栅极零偏置时，MOSFET被关断，其间不会出现双
2024-06-13 10:07
器件。一旦在MOSFET的栅极端施加电压，源极沟道的漏极电阻将变得更大。当栅源电压增加更多时，从漏极到源
2022-09-13 08:00
PNP双极型晶体管的设计
2012-08-20 08:29
