，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围
2011-08-17 14:18
员所需要的。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor简称FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21
，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOSFET并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化
2013-03-11 10:49
问题1：最近，我们公司的技术专家在调试中发现，MOSFET驱动电压过高，会导致电路过载时，MOSFET中电流过大，于是把降低了驱动电压到6.5V，之前我们都是在12V左右。这种做法感觉和您在文章里
2016-12-21 11:39
MOSFET和开关频率不太高的中压功率MOSFET。如果需要低的导通电阻，只有增大的晶片面积，晶片的面积受到封装尺寸的限制，因此不适合于一些高功率密度的应用。平面型高压的功率M
2016-10-10 10:58
MOSFET教程
2020-05-24 09:22
电机驱动设计中MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计相关文章资料，大家可以看看，对大家很有帮助！
2021-03-29 16:18
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 0805封装尺寸/0402封装尺寸/0603封装尺寸/1206封装尺寸封装
2008-07-02 14:05
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 编辑 N沟道MOSFET PowerTrench®[N-Channel PowerTrench® MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23
描述PMP10852B 参考设计使用 LM5117、用于高侧 MOSFET 的 CSD18563 以及用于低侧 MOSFET 的 CSD18532 (x2)。PMP10852B 接受 27V 至
2019-01-02 16:14
