经纬方向差异造成基板尺寸变化；由于剪切时，未注意纤维方向，造成剪切应力残留在基板内，一旦释放，直接影响基板尺寸的收缩。基板表面铜箔部分被蚀刻掉对基板的变化限制，当应力消
2018-03-14 09:55
PCB制造过程基板尺寸的变化问题,讲述了产生的原因及解决方法
2011-12-15 14:03
Fig. 2标出了我们所关注的MOSFET器件的几何尺寸，包括沟道的有效长度L_eff（导体的长度L_drawn略大于L_eff），沟道的宽度W，绝缘层的厚度t_ox，这些参数主要影响沟道两侧的电容和沟道的电阻，从而影响着电压电流的关系，后面的表达式会用到这些
2023-02-16 11:35
从结构上来说也在不断简化，尤其是电池设计开始走向CTP和CTC之后。我们本文重点来讲讲软包电池尺寸的规格变化。
2023-03-23 15:10
电子发烧友网站提供《超小尺寸P沟道FemtoFET MOSFET测试EVM.pdf》资料免费下载
2024-12-21 10:41
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2024-12-21 10:43
原因： ⑴经纬方向差异造成基板尺寸变化；由于剪切时，未注意纤维方向，造成剪切应力残留在基板内，一旦释放，直接影响基板尺寸的收缩。 ⑵基板表面铜箔部分被蚀刻掉对基板的变化
2018-08-29 09:55
大电流功率电感封装尺寸变化对性能会有影响吗 gujing 编辑：谷景电子 大电流功率电感作为目前应用非常广泛的一种电子元器件，它的选型应用有两个非常关键的的要素：一是封装尺寸；二是电性能参数。本篇
2024-04-09 21:54
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34
本文追溯了电力电子的历史，可追溯到硅MOSFET仍用于驱动强大的电子负载时。让我们通过描述、应用和模拟重新发现硅的世界，看看电子世界是如何在短短几年内因新的 SiC 和 GaN MOSFET 的发现
2022-08-01 11:25
