在电子工程领域中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）因其高集成度、低功耗等特性而被广泛应用于各种电子设备中。然而，MOSFET在开关过程中可能会产生尖峰电压，
2024-05-30 15:49
上节我们讲了开关管的电压尖峰的产生原理，有的人会问我：为什么我们要关注电压尖峰呢?我们不用电感不就行了?
2023-03-10 16:59
上节我们认识了开关管的第一种电压尖峰的抑制手段，就是利用TVS或者稳压管工作时的电流再次对开关管的门极进行充电，让开关管的门极的变化不在剧烈，因此能让开关管的电压尖峰抑
2023-03-10 17:00
R4电阻，D1二极管，C6电容是尖峰吸收电路，因为是电阻电容二极管组成的电路，简称RCD吸收回路。那么为什么要加尖峰吸收回路呢，是因为要保护MOS管过压击穿，把峰值电压限制在MOS管耐压之内。这样MOS管就可以安全地
2022-11-23 09:30
MOS管，作为现代电子设备中不可或缺的关键元件，广泛应用于各种电路设计中。然而，在MOS管的工作过程中，有时会出现电压或电流尖峰现象，这不仅可能影响电路的稳定性和可靠性，还可能导致设备损坏。因此
2024-05-30 16:32
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的阈值电压（Vt）是其工作性能中的一个关键参数，它决定了晶体管从关闭状态过渡到开启状态所需的栅极电压大小。MOSFET的阈值
2024-05-30 16:41
该电源开关是一款低压、单 N 沟道 MOSFET 高侧电源开关，针对自供电和总线供电的通用串行总线 （USB） 应用进行了优化。
2022-04-20 16:55
反激式 DC-DC 转换器拓扑结构可显著节省多个输出电源的成本和空间，这些电源具有高达 100W 的高输出电压。反激式拓扑使用变压器存储和传输能量，由于物理限制，变压器在开关周期内会导致较大的电压瞬态尖峰。本文概述了
2023-03-09 15:49
在设计RC吸收电路时，我们必须了解整个电源网络的几个重要参数，比如输入电压、输入电流、尖峰电压、尖峰电流等。在图1所示当Q1关断时，源极
2018-12-24 14:33
，在下管关断后下管体二极管续流时，开通了上管，导致“瞬时直通”，直通电流被二极管强迫恢复关断，在线路寄生电感上造成压降，叠加在处于关断态的下管。图中的圆圈2，表明反向恢复态也存在直通可能，但电压尖峰主要是圆圈1产生的。
2023-03-23 09:35
