工程师习惯性的认为：如果VGS尖峰电压大于功率MOSFET的阈值电压VTH，下管就会导通，那么上、下管就会产生直通，也就是所谓的Shoot Through，从而导致开关
2016-11-08 17:14
的IGBT门极开通电压尖峰是怎么回事? 图1a IGBT门极开通尖峰 图1b IGBT门极开通尖峰机理分析：IGBT门极驱动的等效电路如图2所示： 图2. IGBT驱动
2021-04-26 21:33
逆变电源工程师设计之首选。正是因为看似简单的一个拓扑，确让很多设计师望而却步，因为推挽有一个最头疼的问题，电压尖峰。通常推挽拓扑中功率管选用都是MOSFET，而MOSFET
2021-11-16 07:30
IGBT关断尖峰电压抑制方法的研究
2013-06-11 16:00
越小呢？BVDSS具有正的温度系数，温度高，功率MOSFET的耐压高，那是不是表明MOSFET对电压尖峰有更大的裕量，更安全？由于
2016-09-06 15:41
硬件电路设计之——DC-DC上电时电压输出尖峰电压发现问题在使用XL1509-5.0E时发现，当电源在上电瞬间会出现一个上升到 8V的尖峰
2021-11-17 08:02
讨论如何根据RDS（ON）、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。 MOSFET的选择 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，
2011-08-17 14:18
和接上电时，会产生输入尖峰高几倍左右电压，这不关有没有芯片问题，是电源固定的特性，电源工程师都知道.工程师一般采用输入用电解电容或者TVS管或者输入正极串联电阻一般这三种方案来吸收尖峰
2021-12-27 07:36
电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOSFET能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲
2013-03-11 10:49
为什么MOSFET只加驱动电压10V左右就开始发热，请各位大神给予意见，谢谢！！
2013-05-16 19:48
