（典型值），采用SOW-18（宽体）封装， 高达5000Vrms的隔离电压，适用于于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。BTD25350功
2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
，作为目前应用面最为广泛的端口，因其裸露的金属座子及对外通讯的信号 PIN 脚，容易受到 ESD 脉冲、插拔尖峰脉冲电压等快速瞬变的影响，普通的防护器件会对数据的传输
2023-03-02 15:23 深圳市优恩半导体有限公司 企业号
目前，传统的直流充电桩拓扑电路，一般是三相交流380V输入电压经过PFC维也纳AC/DC电路后，得到直流母线电压，然后经过两路全桥LLC DC/DC电路，输出200V到1000V高压给新能源汽车充电
2023-08-02 10:29 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑
2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度，更低的损耗和
2023-05-29 10:16 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
概述差分放大器是能把两个输入电压的差值加以放大的电路，也称作差动放大器，它是模拟电路设计中的一个重要电路，其对环境噪声具有更强的干扰抗性、能够有效抑制共模噪声。一般的运算放大器也能够当做差分放大器
2022-09-26 10:18 陕西航晶微电子有限公司 企业号
方案介绍：在实际工业控制和仪器仪表应用中，RS-485 通信链路常常要在距离很远的多个系统之间传输数据，需要在恶劣电磁环境下工作，静电放电、感应雷击浪涌及其它电磁干扰现象导致的较大瞬态电压会损坏通信
2022-12-09 14:29 深圳市优恩半导体有限公司 企业号
