在电子工程领域中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）因其高集成度、低功耗等特性而被广泛应用于各种电子设备中。然而，MOSFET在开关过程中可能会产生尖峰电压，
2024-05-30 15:49
开关MOSFET中产生振铃和电压尖峰的现象是电力电子转换过程中常见的问题，尤其是在高频开关应用中更是如此。这接下来，我们将详细探讨这些现象的起因。 振铃的成因 寄生电感：在MO
2024-06-09 11:29
高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能让系统效率显著提升，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而在驱动电压上产生更大的尖峰。
2023-12-20 09:20
高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能显著提升系统效率，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而让驱动电压产生更大的尖峰。
2023-12-18 09:18
在电力电子领域，碳化硅（SiC）MOSFET因其高效率、高频率和高温性能而备受青睐。然而，即使性能卓越，SiC MOSFET在开关过程中也可能面临电压尖峰的问题。本文将
2024-08-15 17:17
抑制尖峰电压的方法 尖峰电压，也称为电压尖峰或
2024-10-06 16:29
。本文将详细探讨功率管开关波形对尖峰干扰的影响，并对抑制尖峰干扰的方法进行细致分析。 一、功率管开关波形的影响 1. 尖峰
2023-11-29 10:55
TPHR7404PU 做电源设计的工程师朋友都知道，MOSFET由于其快速开关，导通电压低等特性，在电源设计中应用的非常广泛。但是使用MOSFET时易出现的尖峰
2021-11-26 15:08
。因此，消除尖峰电压对于保护电气设备和系统的正常运行非常重要。本文将详细地介绍消除尖峰电压的几种常见方法。 方法一：安装瞬态电压
2023-12-08 10:25
碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32
