。 特别是，封装源极寄生电感是是器件控制的关键因素。在本文中，英飞凌提出了一种用于快速开关超结MOSFET的最新推出的TO247 4引脚器件封装解决方案。这个解决方案将源极连接分为两个电流路径；一个用于
2018-10-08 15:19
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 编辑 在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32
`目前，电源工程师面临的一个主要难题是，随着功能的日益增多，商用电子产品的尺寸不断缩小，留给电源电路的空间越来越少。解决这个难题的办法之一是充分利用在MOSFET技术和封装上的进步。通过在更小尺寸
2013-12-23 11:55
mosfet的TO220封装上的背后的铁片接的是漏极吗？为什么？
2015-10-25 20:56
用于它们的负载点（POL）设计。当适应控制器和外部MOSFET时，这些应用极大地限制了主板空间。MOSFET和封装技术的进步使得TI能够成功应对这些挑战。诸如TI 2.x NexFET™功率
2019-07-31 04:45
产品尺寸，从而提升系统效率。而在实际应用中，我们发现：带辅助源极管脚的TO-247-4封装更适合于碳化硅MOSFET这种新型的高频器件，它可以进一步降低器件的开关损耗，也更有利于分立器件的驱动
2023-02-27 16:14
，其回路由MOSFET漏极寄生电感Ld（包括MOSFET封装电感以及PCB布线等效电感）, MOSFET结电容Cgd, MOSF
2018-12-10 10:04
MOSFET封装伸援助之手 满足芯片组移动新功能
2021-05-10 06:54
ORing系统。” IR的DirectFET MOSFET封装已获得专利，它集中了标准塑料分立封装所不具备的一系列设计优点。其中的金属罐构造能发挥双面冷却功能，使用以驱动先进微处理器的高频DC-DC降压
2018-11-26 16:09
能力的快照。本网上广播将提供功率MOSFET数据表概览，和阐明具体的数据表参数和定义。 功率MOSFET有各种各样的尺寸、配置和封装，取决于目标应用的需求。功率MOSFET
2018-10-18 09:13
