` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 编辑 在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32
，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工
2011-08-17 14:18
芯片封装测试流程详解ppt•按封装外型可分为：SOT 、QFN 、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等；• 决定封装形式的两个关键因素:Ø
2012-01-13 11:46
`在追求不断提高能效的过程中，MOSFET的芯片和封装也在不断改进。尽管四十多年来我们对这种器件有了很多了解，但目前将它们有效地应用于电源产品依然面临挑战。根据具体应用建立FET性能模型并采用
2011-08-18 14:08
2019-03-14 09:53
芯片封装测试工艺教程教材资料，完整的介绍了芯片封装测试工艺流程，及每一个技术点，有图有流程，能够帮助大家快速理解芯片封装
2012-01-13 14:46
，当时资料有限，于是作者就根据数据表，推断它们的定义，然后分享给我们的客户工程师。在编辑此文过程中，刚好有一个***的客户，要求我们帮忙测试一下MOSFET的ID的值，可见，仍然有一些工程师不太了解
2016-08-15 14:31
(POL)、高效负载开关和低端切换、稳压器模块(VRM)以及ORing功能。设计人员使用FDMC8010器件，能够将封装尺寸从5mmx6mm减小为3.3mmx3.3mm，节省66%的MOSFET占位面积
2012-04-28 10:21
版）实用电力电子技术丛书《MOSFET、IGBT驱动集成电路及应用》MOS管驱动电路总结电源中的MOSFET性能的四项关键测试PFC中开关mosfet驱动电路的设计与讲
2019-04-19 17:45
MOSFET教程
2020-05-24 09:22
