随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分,栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
2025-01-04 12:37
尖峰电压和系统 EMC 的抑制为目标。实际应用中,选择缓冲吸收电路参数时,为防止 SiC-MOSFET开关在开通瞬间由于吸收电容器上能量过多、需通过自身放电进而影响模块使用寿命,需要对 RC 缓冲吸收
2025-04-23 11:25
MOSFET是指的什么?MOSFET的特性是什么?MOSFET有哪些应用?
2021-07-09 07:45
从本文开始,将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等
2018-11-30 11:34
什么是MOSFET驱动器?MOSFET驱动器功耗包括哪些部分?如何计算MOSFET的功耗?
2021-04-12 06:53
和特性几乎是相同的,因此理论上相同面积和氧化层厚度的Si MOSFET和SiC MOSFET可以在相同的时间内承受大致相同的氧化层电场应力(相同的本征寿命)。但是,这只有在器件不包含与缺陷有关的杂质
2022-07-12 16:18
MOSFET上进行了加速栅极氧化物寿命测试。两个测试结果之间的密切一致证实了SiC MOSFET是可靠的器件,当在T = 175°C和V GS = 25V 下工作时,预计寿命
2019-07-30 15:15
MOSFET及MOSFET驱动电路基础
2021-02-25 06:05
上一章基于ROHM的SJ-MOSFET产品阵容,以标准AN系列、低噪声EN系列、高速KN系列为例介绍了SJ-MOSFET的特征。本章将以SJ-MOSFET的trr速度更高的PrestoMOS™的两个
2018-11-28 14:27
摘要:本文阐述了MOSFET驱动的基本要求以及在各种应用中如何优化驱动电路的设计关键词: MOSFET 驱动, MOSFET 并联 1.引言随着电源高效,高功率密度的要求,电源的频率由原来的工频,到
2018-12-10 10:04